自从芯片诞生之后,就一直遵循摩尔定律来发展,即晶体管密度18个月到24个月翻一倍,其实也就是工艺在2年内至少升级一次。

全球芯片工艺前进的引擎,可能要熄火了,美国怎么办?

而推动芯片工艺不断升级的引擎是什么?其实就是光刻机,因为决定工艺前进最重要的设备,或技术,就是光刻机的精度。

所以我们看到,光刻机技术,是一代又一代的,不断进步,不同的光刻机,对应着不同的芯片工艺,从G线到IG,到KrF,到ArF,再到ArFi、EUV。

可以说之一代新的光刻机推出,就要推动芯片工艺再次前进几次,比如ArFi浸润式光刻机,可以推动芯片工艺,从55nm,进入40nm,一直到7nm。

接着芯片工艺要再前进,就需要用到EUV光刻机,再推动工艺从7nm进入5nm、3nm,如果没有EUV光刻机,就可能一直停在7nm了。

可以说,光刻机就真的是推动芯片工艺前进的引擎,没有新的光刻机,芯片工艺就要原地踏步。

而进入EUV光刻机时代,A *** L也推出了好几代EUV技术,之一代技术,标准数值孔径NA=0.33的EUV光刻机,也有人称之为“LOW NA EUV光刻机”。

这种LOW NA EUV光刻机,能够制造2nm左右的芯片,是NA比较低的一种,所以是LOW

接着A *** L计划推出High NA EUV,NA=0.55,这种更高可以制造1nm左右的芯片,目前A *** L已经向英特尔交付了一台,intel计划在2nm时就采用它。

而在这种光刻机之后,则是Hyper NA EUV,数值孔径NA=0.77,可以制造1nm以下芯片。

不过,A *** L虽然规划非常好,但实际上到了High NA EUV,NA=0.55时,EUV的技术,其实已经发展到极限了。

这个Hyper NA EUV能不能推出,什么时候推出,A *** L也没有把握,其技术人员甚至表示,也许有可能High NA EUV就是最后一代了。

前面提到过,芯片工艺的前进,现在全靠光刻机突破,如果光刻机不突破,也许工艺就前进不了。

而目前A *** L也不确定Hyper NA EUV能不能推出,可见,接下来芯片工艺前进可能会遇到较大阻力了,因为引擎可能要熄火了啊。

而如果芯片工艺不能前进了,对于美国而言就不是好事情了,美国芯片产业非常强大,靠的就是因为它领先全球,不断的推动A *** L,以及其它设备厂商改进设备,一起赚钱。

一旦工艺不再前进了,大家也不能再继续升级设备来赚钱了,你说怎么办?

更重要的是,美国靠着自己掌握先进工艺,而制裁其它国家和地区,让其它国家和地区只能买美国的先进芯片,而一旦工艺停止,那么其它国家和地区,可能很快就会追上来,那美国的领先地位没有了,又该怎么办?

可能真的要换材料了,硅基芯片开发到极限,就要换成碳基芯片,石墨烯芯片,甚至直接量子芯片之类的了。